Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTD80N02-1G
MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Mã sản phẩm
NTD80N02-1G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
I-PAK
Tản điện (Tối đa)
75W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
24V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
5.8 mOhm @ 80A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
42nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 20V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 19103 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NTD80N02-1G
NTD80N02-1G Linh kiện điện tử
NTD80N02-1G Việc bán hàng
NTD80N02-1G Nhà cung cấp
NTD80N02-1G Nhà phân phối
NTD80N02-1G Bảng dữ liệu
NTD80N02-1G Ảnh
NTD80N02-1G Giá
NTD80N02-1G Lời đề nghị
NTD80N02-1G Giá thấp nhất
NTD80N02-1G Tìm kiếm
NTD80N02-1G Thu mua
NTD80N02-1G Chip