Mua ON Semiconductor NTJS3151PT1G MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

NTJS3151PT1G

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Mã sản phẩm

NTJS3151PT1G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

ON Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SC-88/SC70-6/SOT-363

Tản điện (Tối đa)

625mW (Ta)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

12V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

2.7A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

60 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.2V @ 100µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

8.6nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 12V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±12V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 7602 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

NTJS3151PT1G

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363