Mua ON Semiconductor NTMS10P02R2G MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

NTMS10P02R2G

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

Mã sản phẩm

NTMS10P02R2G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

ON Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SOIC

Tản điện (Tối đa)

1.6W (Ta)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

8.8A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

14 mOhm @ 10A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.2V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

70nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

3640pF @ 16V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

2.5V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±12V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 23572 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

NTMS10P02R2

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC