Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTMSD6N303R2G
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Mã sản phẩm
NTMSD6N303R2G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
FETKY™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SOIC
Tản điện (Tối đa)
2W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Schottky Diode (Isolated)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
32 mOhm @ 6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
30nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 24V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 46555 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NTMSD6N303R2G
NTMSD6N303R2G Linh kiện điện tử
NTMSD6N303R2G Việc bán hàng
NTMSD6N303R2G Nhà cung cấp
NTMSD6N303R2G Nhà phân phối
NTMSD6N303R2G Bảng dữ liệu
NTMSD6N303R2G Ảnh
NTMSD6N303R2G Giá
NTMSD6N303R2G Lời đề nghị
NTMSD6N303R2G Giá thấp nhất
NTMSD6N303R2G Tìm kiếm
NTMSD6N303R2G Thu mua
NTMSD6N303R2G Chip