FJ4B01100L1
CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET
Mã sản phẩm
FJ4B01100L1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
4-XFLGA, CSP
Gói thiết bị của nhà cung cấp
XLGA004-W-0808-RA01
Tản điện (Tối đa)
360mW (Ta)
Loại FET
P-Channel
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
74 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 1.2mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
7nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
459pF @ 10V
VSS (Tối đa)
±8V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.5V, 4.5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 18348 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FJ4B01100L1
FJ4B01100L1 Linh kiện điện tử
FJ4B01100L1 Việc bán hàng
FJ4B01100L1 Nhà cung cấp
FJ4B01100L1 Nhà phân phối
FJ4B01100L1 Bảng dữ liệu
FJ4B01100L1 Ảnh
FJ4B01100L1 Giá
FJ4B01100L1 Lời đề nghị
FJ4B01100L1 Giá thấp nhất
FJ4B01100L1 Tìm kiếm
FJ4B01100L1 Thu mua
FJ4B01100L1 Chip