Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
H7N1002LS-E
MOSFET N-CH 100V LDPAK
Mã sản phẩm
H7N1002LS-E
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SC-83
Gói thiết bị của nhà cung cấp
4-LDPAK
Tản điện (Tối đa)
100W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
75A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
155nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
9700pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 48600 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của H7N1002LS-E
H7N1002LS-E Linh kiện điện tử
H7N1002LS-E Việc bán hàng
H7N1002LS-E Nhà cung cấp
H7N1002LS-E Nhà phân phối
H7N1002LS-E Bảng dữ liệu
H7N1002LS-E Ảnh
H7N1002LS-E Giá
H7N1002LS-E Lời đề nghị
H7N1002LS-E Giá thấp nhất
H7N1002LS-E Tìm kiếm
H7N1002LS-E Thu mua
H7N1002LS-E Chip