Mua Renesas Electronics America NP35N04YUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

NP35N04YUG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON

Mã sản phẩm

NP35N04YUG-E1-AY

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Renesas Electronics America

Loạt

Trạng thái một phần

Discontinued at Digi-Key

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-HSON

Tản điện (Tối đa)

1W (Ta), 77W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

40V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

10 mOhm @ 17.5A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

54nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2850pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 29763 PCS

Thông tin liên lạc