Mua Renesas Electronics America R1RW0408DGE-2PR#B0 IC SRAM 4M FAST 36-SOJ

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

R1RW0408DGE-2PR#B0

IC SRAM 4M FAST 36-SOJ

Mã sản phẩm

R1RW0408DGE-2PR#B0

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Renesas Electronics America

Trạng thái một phần

Last Time Buy

Công nghệ

SRAM

Nhiệt độ hoạt động

0°C ~ 70°C (TA)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

36-SOJ

Cung cấp điện áp

3 V ~ 3.6 V

Loại bộ nhớ

Volatile

Kích thước bộ nhớ

4Mb (512K x 8)

Thời gian truy cập

12ns

Định dạng bộ nhớ

SRAM

Thời gian chu kỳ viết - Word, Page

12ns

Giao diện bộ nhớ

Parallel

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 49160 PCS

Thông tin liên lạc