Mua Renesas Electronics America RJK2009DPM-00#T0 MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

RJK2009DPM-00#T0

MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

Mã sản phẩm

RJK2009DPM-00#T0

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Renesas Electronics America

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-3PFM, SC-93-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-3PFM

Tản điện (Tối đa)

60W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

200V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

40A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

36 mOhm @ 20A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

72nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±30V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 44906 PCS

Thông tin liên lạc