Mua Renesas Electronics America RJL6018DPK-00#T0 MOSFET N-CH 600V 27A TO3P

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

RJL6018DPK-00#T0

MOSFET N-CH 600V 27A TO3P

Mã sản phẩm

RJL6018DPK-00#T0

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Renesas Electronics America

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-3P-3, SC-65-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-3P

Tản điện (Tối đa)

200W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

600V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

27A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

265 mOhm @ 13.5A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

98nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

3830pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±30V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 35654 PCS

Thông tin liên lạc