Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
RT7021BGN
IC HI-SIDE MOSFET SWITCH DIP8
Mã sản phẩm
RT7021BGN
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Trạng thái một phần
Obsolete
Kiểu đầu vào
Non-Inverting
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 125°C (TA)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-DIP
Cung cấp điện áp
13 V ~ 20 V
Loại kênh
Independent
Cấu hình điều khiển
High-Side or Low-Side
Số lượng trình điều khiển
2
Loại cổng
IGBT, N-Channel MOSFET
Điện áp logic - VIL, VIH
0.8V, 2.5V
Hiện tại - Sản lượng đỉnh (Nguồn, Chìm)
300mA, 600mA
Điện áp phía cao - Max (Bootstrap)
600V
Thời gian tăng/giảm (loại)
70ns, 35ns
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 41169 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của RT7021BGN
RT7021BGN Linh kiện điện tử
RT7021BGN Việc bán hàng
RT7021BGN Nhà cung cấp
RT7021BGN Nhà phân phối
RT7021BGN Bảng dữ liệu
RT7021BGN Ảnh
RT7021BGN Giá
RT7021BGN Lời đề nghị
RT7021BGN Giá thấp nhất
RT7021BGN Tìm kiếm
RT7021BGN Thu mua
RT7021BGN Chip