Mua Rohm Semiconductor BS2100F-E2 IC DVR IGBT/MOSFET

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

BS2100F-E2

IC DVR IGBT/MOSFET

Mã sản phẩm

BS2100F-E2

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Rohm Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Not For New Designs

Bao bì

Cut Tape (CT)

Kiểu đầu vào

Non-Inverting

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SOP

Cung cấp điện áp

10 V ~ 18 V

Loại kênh

Independent

Cấu hình điều khiển

Half-Bridge

Số lượng trình điều khiển

Loại cổng

N-Channel MOSFET

Điện áp logic - VIL, VIH

1V, 2.6V

Hiện tại - Sản lượng đỉnh (Nguồn, Chìm)

60mA, 130mA

Điện áp phía cao - Max (Bootstrap)

600V

Thời gian tăng/giảm (loại)

200ns, 100ns

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 46825 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

BS2100F-E2

IC DVR IGBT/MOSFET