Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
BSM180D12P2C101
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Mã sản phẩm
BSM180D12P2C101
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Bulk
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
-
Gói / Thùng
Module
Sức mạnh tối đa
1130W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
Module
Loại FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Tính năng FET
Standard
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V (1.2kV)
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
180A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
-
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 35.2mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
-
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 54603 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của BSM180D12P2C101
BSM180D12P2C101 Linh kiện điện tử
BSM180D12P2C101 Việc bán hàng
BSM180D12P2C101 Nhà cung cấp
BSM180D12P2C101 Nhà phân phối
BSM180D12P2C101 Bảng dữ liệu
BSM180D12P2C101 Ảnh
BSM180D12P2C101 Giá
BSM180D12P2C101 Lời đề nghị
BSM180D12P2C101 Giá thấp nhất
BSM180D12P2C101 Tìm kiếm
BSM180D12P2C101 Thu mua
BSM180D12P2C101 Chip