Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
QH8MA2TCR

QH8MA2TCR

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Mã sản phẩm
QH8MA2TCR
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SMD, Flat Lead
Sức mạnh tối đa
1.25W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TSMT8
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.5A, 3A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
35 mOhm @ 4.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
8.4nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
365pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 10323 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của QH8MA2TCR
QH8MA2TCR Linh kiện điện tử
QH8MA2TCR Việc bán hàng
QH8MA2TCR Nhà cung cấp
QH8MA2TCR Nhà phân phối
QH8MA2TCR Bảng dữ liệu
QH8MA2TCR Ảnh
QH8MA2TCR Giá
QH8MA2TCR Lời đề nghị
QH8MA2TCR Giá thấp nhất
QH8MA2TCR Tìm kiếm
QH8MA2TCR Thu mua
QH8MA2TCR Chip