Mua Rohm Semiconductor RGT30NS65DGTL IGBT 650V 30A 133W TO-263S

Trung Quốc
Nhà cung cấp linh kiện điện tử chuyên nghiệp

Danh mục Nhà sản xuất của CN ICs

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

RGT30NS65DGTL

IGBT 650V 30A 133W TO-263S

Mã sản phẩm

RGT30NS65DGTL

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Rohm Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Kiểu đầu vào

Standard

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Sức mạnh tối đa

133W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

LPDS (TO-263S)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

55ns

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

30A

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

650V

Loại IGBT

Trench Field Stop

Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Hiện tại - Collector Pulsed (Icm)

45A

Chuyển đổi năng lượng

Phụ trách cổng

32nC

Td (bật/tắt) @ 25°C

18ns/64ns

Điều kiện kiểm tra

400V, 15A, 10 Ohm, 15V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 24394 PCS

Thông tin liên lạc