US6M11TR
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Mã sản phẩm
US6M11TR
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Sức mạnh tối đa
1W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
UMT6
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V, 12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.5A, 1.3A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
1.8nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 13406 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của US6M11TR
US6M11TR Linh kiện điện tử
US6M11TR Việc bán hàng
US6M11TR Nhà cung cấp
US6M11TR Nhà phân phối
US6M11TR Bảng dữ liệu
US6M11TR Ảnh
US6M11TR Giá
US6M11TR Lời đề nghị
US6M11TR Giá thấp nhất
US6M11TR Tìm kiếm
US6M11TR Thu mua
US6M11TR Chip