Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
PD20010-E
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Mã sản phẩm
PD20010-E
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Điện áp - Định mức
40V
Tính thường xuyên
2GHz
Gói / Thùng
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Đánh giá hiện tại
5A
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerSO-10RF (Formed Lead)
Nguồn - Đầu ra
10W
Loại bóng bán dẫn
LDMOS
Nhận được
11dB
Điện áp - Kiểm tra
13.6V
Hình tiếng ồn
-
Bài kiểm tra hiện tại
150mA
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43420 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của PD20010-E
PD20010-E Linh kiện điện tử
PD20010-E Việc bán hàng
PD20010-E Nhà cung cấp
PD20010-E Nhà phân phối
PD20010-E Bảng dữ liệu
PD20010-E Ảnh
PD20010-E Giá
PD20010-E Lời đề nghị
PD20010-E Giá thấp nhất
PD20010-E Tìm kiếm
PD20010-E Thu mua
PD20010-E Chip