Mua STMicroelectronics SCT20N120 MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

SCT20N120

MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247

Mã sản phẩm

SCT20N120

Nhà sản xuất/Thương hiệu

STMicroelectronics

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Công nghệ

SiCFET (Silicon Carbide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 200°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-247-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

HiP247™

Tản điện (Tối đa)

175W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

1200V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

290 mOhm @ 10A, 20V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.5V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

45nC @ 20V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 400V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

20V

VSS (Tối đa)

+25V, -10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 52478 PCS

Thông tin liên lạc