Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
STP10N60M2

STP10N60M2

MOSFET N-CH 600V TO-220
Mã sản phẩm
STP10N60M2
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
MDmesh™ II Plus
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220
Tản điện (Tối đa)
85W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
600 mOhm @ 3A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
13.5nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±25V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 21395 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của STP10N60M2
STP10N60M2 Linh kiện điện tử
STP10N60M2 Việc bán hàng
STP10N60M2 Nhà cung cấp
STP10N60M2 Nhà phân phối
STP10N60M2 Bảng dữ liệu
STP10N60M2 Ảnh
STP10N60M2 Giá
STP10N60M2 Lời đề nghị
STP10N60M2 Giá thấp nhất
STP10N60M2 Tìm kiếm
STP10N60M2 Thu mua
STP10N60M2 Chip