Mua Taiwan Semiconductor Corporation S1JB M4G DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

S1JB M4G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Mã sản phẩm

S1JB M4G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Taiwan Semiconductor Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

DO-214AA, SMB

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DO-214AA (SMB)

Loại điốt

Standard

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

1.1V @ 1A

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

5µA @ 600V

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

600V

Tốc độ

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-55°C ~ 150°C

Điện dung @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 48948 PCS

Thông tin liên lạc