Mua Taiwan Semiconductor Corporation SF1004GHC0G DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

SF1004GHC0G

DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB

Mã sản phẩm

SF1004GHC0G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Taiwan Semiconductor Corporation

Loạt

Automotive, AEC-Q101

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-220-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-220AB

Loại điốt

Standard

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

10A

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

975mV @ 5A

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

10µA @ 200V

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

200V

Tốc độ

Fast Recovery = 200mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

35ns

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-55°C ~ 150°C

Điện dung @ Vr, F

70pF @ 4V, 1MHz

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 11427 PCS

Thông tin liên lạc