Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
TH58BYG2S3HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Mã sản phẩm
TH58BYG2S3HBAI6
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Benand™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tray
Công nghệ
FLASH - NAND (SLC)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
67-VFBGA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
67-VFBGA (6.5x8)
Cung cấp điện áp
1.7 V ~ 1.95 V
Loại bộ nhớ
Non-Volatile
Kích thước bộ nhớ
4Gb (512M x 8)
Thời gian truy cập
25ns
Tần số đồng hồ
-
Định dạng bộ nhớ
Flash
Thời gian chu kỳ viết - Word, Page
25ns
Giao diện bộ nhớ
Parallel
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 16802 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của TH58BYG2S3HBAI6
TH58BYG2S3HBAI6 Linh kiện điện tử
TH58BYG2S3HBAI6 Việc bán hàng
TH58BYG2S3HBAI6 Nhà cung cấp
TH58BYG2S3HBAI6 Nhà phân phối
TH58BYG2S3HBAI6 Bảng dữ liệu
TH58BYG2S3HBAI6 Ảnh
TH58BYG2S3HBAI6 Giá
TH58BYG2S3HBAI6 Lời đề nghị
TH58BYG2S3HBAI6 Giá thấp nhất
TH58BYG2S3HBAI6 Tìm kiếm
TH58BYG2S3HBAI6 Thu mua
TH58BYG2S3HBAI6 Chip