Mua Toshiba Semiconductor and Storage GT10G131(TE12L,Q) IGBT 400V 1W 8-SOIC

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

GT10G131(TE12L,Q)

IGBT 400V 1W 8-SOIC

Mã sản phẩm

GT10G131(TE12L,Q)

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Kiểu đầu vào

Standard

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Sức mạnh tối đa

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SOP (5.5x6.0)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

400V

Loại IGBT

Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic

2.3V @ 4V, 200A

Hiện tại - Collector Pulsed (Icm)

200A

Chuyển đổi năng lượng

Phụ trách cổng

Td (bật/tắt) @ 25°C

3.1µs/2µs

Điều kiện kiểm tra

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 21477 PCS

Thông tin liên lạc