MT3S111P(TE12L,F)
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Mã sản phẩm
MT3S111P(TE12L,F)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-243AA
Sức mạnh tối đa
1W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PW-MINI
Loại bóng bán dẫn
NPN
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)
6V
Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Tần số - Chuyển tiếp
8GHz
Hệ số tiếng ồn (loại dB @ f)
1.25dB @ 1GHz
Nhận được
10.5dB
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 53883 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của MT3S111P(TE12L,F)
MT3S111P(TE12L,F) Linh kiện điện tử
MT3S111P(TE12L,F) Việc bán hàng
MT3S111P(TE12L,F) Nhà cung cấp
MT3S111P(TE12L,F) Nhà phân phối
MT3S111P(TE12L,F) Bảng dữ liệu
MT3S111P(TE12L,F) Ảnh
MT3S111P(TE12L,F) Giá
MT3S111P(TE12L,F) Lời đề nghị
MT3S111P(TE12L,F) Giá thấp nhất
MT3S111P(TE12L,F) Tìm kiếm
MT3S111P(TE12L,F) Thu mua
MT3S111P(TE12L,F) Chip