MT3S113P(TE12L,F)
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Mã sản phẩm
MT3S113P(TE12L,F)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-243AA
Sức mạnh tối đa
1.6W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PW-MINI
Loại bóng bán dẫn
NPN
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)
100mA
Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)
5.3V
Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Tần số - Chuyển tiếp
7.7GHz
Hệ số tiếng ồn (loại dB @ f)
1.45dB @ 1GHz
Nhận được
10.5dB
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 46045 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của MT3S113P(TE12L,F)
MT3S113P(TE12L,F) Linh kiện điện tử
MT3S113P(TE12L,F) Việc bán hàng
MT3S113P(TE12L,F) Nhà cung cấp
MT3S113P(TE12L,F) Nhà phân phối
MT3S113P(TE12L,F) Bảng dữ liệu
MT3S113P(TE12L,F) Ảnh
MT3S113P(TE12L,F) Giá
MT3S113P(TE12L,F) Lời đề nghị
MT3S113P(TE12L,F) Giá thấp nhất
MT3S113P(TE12L,F) Tìm kiếm
MT3S113P(TE12L,F) Thu mua
MT3S113P(TE12L,F) Chip