Mua Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L(T6L1,NQ MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3

Trung Quốc
Nhà cung cấp linh kiện điện tử chuyên nghiệp

Danh mục Nhà sản xuất của CN ICs

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

TJ60S06M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3

Mã sản phẩm

TJ60S06M3L(T6L1,NQ

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

U-MOSVI

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DPAK+

Tản điện (Tối đa)

100W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

60V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

60A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

11.2 mOhm @ 30A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

156nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

7760pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

6V, 10V

VSS (Tối đa)

+10V, -20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 30651 PCS

Thông tin liên lạc