Mua Toshiba Semiconductor and Storage TPC6006-H(TE85L,F) MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

TPC6006-H(TE85L,F)

MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

Mã sản phẩm

TPC6006-H(TE85L,F)

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

U-MOSIII-H

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gói thiết bị của nhà cung cấp

VS-6 (2.9x2.8)

Tản điện (Tối đa)

700mW (Ta)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

40V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

3.9A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

75 mOhm @ 1.9A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.3V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

4.4nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

251pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 28592 PCS

Thông tin liên lạc