Mua Toshiba Semiconductor and Storage TPC8018-H(TE12LQM) MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

TPC8018-H(TE12LQM)

MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Mã sản phẩm

TPC8018-H(TE12LQM)

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SOP (5.5x6.0)

Tản điện (Tối đa)

1W (Ta)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

18A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

4.6 mOhm @ 9A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.3V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

38nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2265pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 20472 PCS

Thông tin liên lạc