Mua Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8101(TE85L,F,M MOSFET P-CH 12V 6A VS-8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

TPCF8101(TE85L,F,M

MOSFET P-CH 12V 6A VS-8

Mã sản phẩm

TPCF8101(TE85L,F,M

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

U-MOSIII

Trạng thái một phần

Discontinued at Digi-Key

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SMD, Flat Lead

Gói thiết bị của nhà cung cấp

VS-8 (2.9x1.5)

Tản điện (Tối đa)

700mW (Ta)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

12V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

6A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

28 mOhm @ 3A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.2V @ 200µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

18nC @ 5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 20598 PCS

Thông tin liên lạc