Mua Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

TPCF8B01(TE85L,F,M

MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

Mã sản phẩm

TPCF8B01(TE85L,F,M

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

U-MOSIII

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SMD, Flat Lead

Gói thiết bị của nhà cung cấp

VS-8 (2.9x1.5)

Tản điện (Tối đa)

330mW (Ta)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Schottky Diode (Isolated)

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

2.7A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

110 mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.2V @ 200µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

6nC @ 5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 15591 PCS

Thông tin liên lạc