Mua Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH,L1Q MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

TPH2R306NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Mã sản phẩm

TPH2R306NH,L1Q

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

U-MOSVIII-H

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerVDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SOP Advance (5x5)

Tản điện (Tối đa)

1.6W (Ta), 78W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

60V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

2.3 mOhm @ 30A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

72nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 30V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

6.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 42166 PCS

Thông tin liên lạc