Mua Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R506PL,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

TPH2R506PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Mã sản phẩm

TPH2R506PL,L1Q

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

U-MOSIX-H

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerVDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SOP Advance (5x5)

Tản điện (Tối đa)

132W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

60V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

4.4 mOhm @ 30A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.5V @ 500µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

60nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

5435pF @ 30V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 38775 PCS

Thông tin liên lạc