Mua Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

TPN4R712MD,L1Q

MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

Mã sản phẩm

TPN4R712MD,L1Q

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

U-MOSVI

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerVDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Tản điện (Tối đa)

42W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

36A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

4.7 mOhm @ 18A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.2V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

65nC @ 5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

2.5V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±12V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 7757 PCS

Thông tin liên lạc