Mua Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8503NL,L1Q MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

TPWR8503NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

Mã sản phẩm

TPWR8503NL,L1Q

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

U-MOSVIII-H

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerVDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-DSOP Advance

Tản điện (Tối đa)

800mW (Ta), 142W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

150A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

0.85 mOhm @ 50A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.3V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

74nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

6900pF @ 15V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 53973 PCS

Thông tin liên lạc