Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
TP65H050WS
MOSFET N-CH 650V 34A TO247-3
Mã sản phẩm
TP65H050WS
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
GaNFET (Gallium Nitride)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247-3
Tản điện (Tối đa)
119W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Xả điện áp nguồn (Vdss)
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
60 mOhm @ 22A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.8V @ 700µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
24nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 400V
VSS (Tối đa)
±20V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42915 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của TP65H050WS
TP65H050WS Linh kiện điện tử
TP65H050WS Việc bán hàng
TP65H050WS Nhà cung cấp
TP65H050WS Nhà phân phối
TP65H050WS Bảng dữ liệu
TP65H050WS Ảnh
TP65H050WS Giá
TP65H050WS Lời đề nghị
TP65H050WS Giá thấp nhất
TP65H050WS Tìm kiếm
TP65H050WS Thu mua
TP65H050WS Chip