Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
TPD3215M
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Mã sản phẩm
TPD3215M
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Bulk
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
Module
Sức mạnh tối đa
470W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
Module
Loại FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Tính năng FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
34 mOhm @ 30A, 8V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
28nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2260pF @ 100V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36526 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của TPD3215M
TPD3215M Linh kiện điện tử
TPD3215M Việc bán hàng
TPD3215M Nhà cung cấp
TPD3215M Nhà phân phối
TPD3215M Bảng dữ liệu
TPD3215M Ảnh
TPD3215M Giá
TPD3215M Lời đề nghị
TPD3215M Giá thấp nhất
TPD3215M Tìm kiếm
TPD3215M Thu mua
TPD3215M Chip