Mua Vishay Semiconductor Diodes Division VS-FB190SA10 MOSFET N-CH 100V 190A SOT227

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

VS-FB190SA10

MOSFET N-CH 100V 190A SOT227

Mã sản phẩm

VS-FB190SA10

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Semiconductor Diodes Division

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

SOT-227-4, miniBLOC

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SOT-227

Tản điện (Tối đa)

568W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

190A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

6.5 mOhm @ 180A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4.35V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

250nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

10700pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 43107 PCS

Thông tin liên lạc