Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFB11N50APBF

IRFB11N50APBF

MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
Mã sản phẩm
IRFB11N50APBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
170W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
500V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
52nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1423pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 13482 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRFB11N50APBF
IRFB11N50APBF Linh kiện điện tử
IRFB11N50APBF Việc bán hàng
IRFB11N50APBF Nhà cung cấp
IRFB11N50APBF Nhà phân phối
IRFB11N50APBF Bảng dữ liệu
IRFB11N50APBF Ảnh
IRFB11N50APBF Giá
IRFB11N50APBF Lời đề nghị
IRFB11N50APBF Giá thấp nhất
IRFB11N50APBF Tìm kiếm
IRFB11N50APBF Thu mua
IRFB11N50APBF Chip