Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFB9N65APBF
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Mã sản phẩm
IRFB9N65APBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
167W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
930 mOhm @ 5.1A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
48nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1417pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 22681 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFB9N65APBF
IRFB9N65APBF Linh kiện điện tử
IRFB9N65APBF Việc bán hàng
IRFB9N65APBF Nhà cung cấp
IRFB9N65APBF Nhà phân phối
IRFB9N65APBF Bảng dữ liệu
IRFB9N65APBF Ảnh
IRFB9N65APBF Giá
IRFB9N65APBF Lời đề nghị
IRFB9N65APBF Giá thấp nhất
IRFB9N65APBF Tìm kiếm
IRFB9N65APBF Thu mua
IRFB9N65APBF Chip