Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFBE30
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Mã sản phẩm
IRFBE30
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
78nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43084 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFBE30
IRFBE30 Linh kiện điện tử
IRFBE30 Việc bán hàng
IRFBE30 Nhà cung cấp
IRFBE30 Nhà phân phối
IRFBE30 Bảng dữ liệu
IRFBE30 Ảnh
IRFBE30 Giá
IRFBE30 Lời đề nghị
IRFBE30 Giá thấp nhất
IRFBE30 Tìm kiếm
IRFBE30 Thu mua
IRFBE30 Chip