Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFBE30STRLPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Mã sản phẩm
IRFBE30STRLPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D2PAK
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
78nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 25830 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFBE30STRLPBF
IRFBE30STRLPBF Linh kiện điện tử
IRFBE30STRLPBF Việc bán hàng
IRFBE30STRLPBF Nhà cung cấp
IRFBE30STRLPBF Nhà phân phối
IRFBE30STRLPBF Bảng dữ liệu
IRFBE30STRLPBF Ảnh
IRFBE30STRLPBF Giá
IRFBE30STRLPBF Lời đề nghị
IRFBE30STRLPBF Giá thấp nhất
IRFBE30STRLPBF Tìm kiếm
IRFBE30STRLPBF Thu mua
IRFBE30STRLPBF Chip