Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI1002R-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Mã sản phẩm
SI1002R-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SC-75A
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SC-75A
Tản điện (Tối đa)
220mW (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
610mA (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
560 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
2nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
36pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 53265 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI1002R-T1-GE3
SI1002R-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI1002R-T1-GE3 Việc bán hàng
SI1002R-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI1002R-T1-GE3 Nhà phân phối
SI1002R-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI1002R-T1-GE3 Ảnh
SI1002R-T1-GE3 Giá
SI1002R-T1-GE3 Lời đề nghị
SI1002R-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI1002R-T1-GE3 Tìm kiếm
SI1002R-T1-GE3 Thu mua
SI1002R-T1-GE3 Chip