Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI1011X-T1-GE3

SI1011X-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V SC-89
Mã sản phẩm
SI1011X-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SC-89, SOT-490
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SC-89-3
Tản điện (Tối đa)
190mW (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
-
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
640 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
800mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
4nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
62pF @ 6V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.2V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 20196 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI1011X-T1-GE3
SI1011X-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI1011X-T1-GE3 Việc bán hàng
SI1011X-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI1011X-T1-GE3 Nhà phân phối
SI1011X-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI1011X-T1-GE3 Ảnh
SI1011X-T1-GE3 Giá
SI1011X-T1-GE3 Lời đề nghị
SI1011X-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI1011X-T1-GE3 Tìm kiếm
SI1011X-T1-GE3 Thu mua
SI1011X-T1-GE3 Chip