Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
Mã sản phẩm
SI1012R-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SC-75A
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SC-75A
Tản điện (Tối đa)
150mW (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
900mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
0.75nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±6V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 15892 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI1012R-T1-GE3
SI1012R-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI1012R-T1-GE3 Việc bán hàng
SI1012R-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI1012R-T1-GE3 Nhà phân phối
SI1012R-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI1012R-T1-GE3 Ảnh
SI1012R-T1-GE3 Giá
SI1012R-T1-GE3 Lời đề nghị
SI1012R-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI1012R-T1-GE3 Tìm kiếm
SI1012R-T1-GE3 Thu mua
SI1012R-T1-GE3 Chip