Mua Vishay Siliconix SI1023CX-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V SC89-6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI1023CX-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V SC89-6

Mã sản phẩm

SI1023CX-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOT-563, SOT-666

Sức mạnh tối đa

220mW

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SC-89-6

Loại FET

2 P-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

756 mOhm @ 350mA, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

2.5nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 20828 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN