Mua Vishay Siliconix SI1025X-T1-E3 MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI1025X-T1-E3

MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F

Mã sản phẩm

SI1025X-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOT-563, SOT-666

Sức mạnh tối đa

250mW

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SC-89-6

Loại FET

2 P-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

60V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

190mA

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

4 Ohm @ 500mA, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

1.7nC @ 15V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 25V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 30590 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN