Mua Vishay Siliconix SI1032X-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI1032X-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

Mã sản phẩm

SI1032X-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SC-89, SOT-490

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SC-89-3

Tản điện (Tối đa)

300mW (Ta)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

200mA (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

5 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.2V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

0.75nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.5V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±6V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 52431 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN