Mua Vishay Siliconix SI1065X-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI1065X-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Mã sản phẩm

SI1065X-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOT-563, SOT-666

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SC-89-6

Tản điện (Tối đa)

236mW (Ta)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

12V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

156 mOhm @ 1.18A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

950mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

10.8nC @ 5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 6V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 44423 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN