Mua Vishay Siliconix SI3909DV-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

SI3909DV-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

Mã sản phẩm

SI3909DV-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Sức mạnh tối đa

1.15W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

6-TSOP

Loại FET

2 P-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

200 mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

500mV @ 250µA (Min)

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

4nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 45367 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI3900DV-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP