Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI3993DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
Mã sản phẩm
SI3993DV-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Sức mạnh tối đa
830mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.8A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
133 mOhm @ 2.2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
5nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 12238 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI3993DV-T1-E3
SI3993DV-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI3993DV-T1-E3 Việc bán hàng
SI3993DV-T1-E3 Nhà cung cấp
SI3993DV-T1-E3 Nhà phân phối
SI3993DV-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI3993DV-T1-E3 Ảnh
SI3993DV-T1-E3 Giá
SI3993DV-T1-E3 Lời đề nghị
SI3993DV-T1-E3 Giá thấp nhất
SI3993DV-T1-E3 Tìm kiếm
SI3993DV-T1-E3 Thu mua
SI3993DV-T1-E3 Chip